| 品牌 | 其他品牌 | 升溫速度（達到最高溫） | 60min |
|---|---|---|---|
| 內部尺寸 | φ50--φ200mm | 加熱方式 | 合金電阻絲 |
| 最大功率 | 6000W | 控溫精度 | ±1℃℃ |
| 最高溫度 | 1200℃ | 價格區間 | 面議 |
| 儀器種類 | 管式爐 | 產地類別 | 國產 |
| 應用領域 | 化工,生物產業,制藥 |
CSK2-12DZ單溫區1200度系列CVD系統
CVD是化學氣相沉積的英文簡寫，本公司生產的CVD系統是利用管式爐加熱，把構成固態沉積物的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入爐管內，在爐管內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術。
CVD系統分類：
CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態是液態，在導入容器之前必須先將它氣化。
CSK2-12DZ系列單溫區CVD系統組成：
CVD系統=管式爐+真空抽氣系統+多路供氣系統（或者液態蒸發系統）
CSK2-12DZ系列單溫區CVD系統配置選擇：
管式爐：
SK2-12DZ 管式真空氣氛爐，1200℃，管徑：50—200mm
真空抽氣系統：
LVSE-0.1低真空控制系統
HVSE高真空控制系統
多路供氣系統：
ZDS-X多路質子流量計控制供氣系統
FDS-X多路浮子流量計控制供氣系統
PECVD系統：
PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
PECVD系統的中文名是等離子增強化學氣相沉積系統。是在CVD的基礎上加一個射頻電源，這個射頻電源通過感應線圈使管式爐爐管內氣體形成等離子體，等離子體化學活性很強，很容易發生反應，從而在基片上沉積出所期望的固態沉積物。PECVD具有比普通CVD沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高、沉積所需的溫度低等優點。PECVD是由CVD系統再加一個PE500射頻電源、線圈組成
